東北地域研究シーズデータベース

ワイドギャップ材料、特に酸化物半導体に興味を持って新規材料探索をおこなっており、近年は特にGa2O3に注力している。
Ga2O3は、4.9 eVとバンドギャップが大きく、理論絶縁破壊電界が8 M...

一関工業高等専門学校未来創造工学科　電気電子系　 藤田実樹

スパッタリング酸化物半導体 Ga2O3

パワー・ディスクリートウェハ・物性素材・材料・ウェハ加工前工程