東北地域研究シーズデータベース

窒化物半導体剥離転写技術の研究

窒化物半導体剥離転写窒化ホウ素

パワー・ディスクリート光半導体（イメージセンサー、光電変換）アナログ・センサー・MEMS（磁気、生体、圧力など）ウェハ・物性素材・材料・ウェハ加工前工程

研究シーズの特徴・独自性

窒化物半導体は、青色発光ダイオード、緑色発光ダイオード、白色ダイオード、携帯電話基地局での電子デバイス等に幅広く応用されている。その窒化物半導体のLEDやトランジスタのデバイス構造は、一般的にサファイア基板上に形成される。この窒化物半導体のデバイス構造をサファイア基板から剥離し、他の基板に転写することができれば、窒化物半導体デバイス構造の応用範囲を大きく広げることができる。しかし、窒化物半導体デバイス構造はサファイア基板と強く結合しているため、その基板からの剥離転写は困難であった。我々は、層状の窒化ホウ素をサファイア基板と窒化物半導体デバイス構造の間に挿入し、機械的な力を加えるだけで、窒化物半導体デバイス構造を、サファイア基板から剥離し他の基板に転写することに成功した。

産学連携の可能性

この窒化物半導体デバイス構造の剥離転写の方法は、非常にシンプルで、簡単であり、またダメージも少なく、非常に優れた方法であると考えられる。

弘前大学
大学院理工学研究科／理工学部電子情報工学科

教授: 小林　康之

お問合せ先: kobayasu@hirosaki-u.ac.jp