東北地域研究シーズデータベース

半導体デバイス用誘電体基板の比誘電率・誘電正接の極低温評価

誘電体基盤比誘電率誘電正接低温評価電磁界解析

製造装置、検査装置ウェハ・物性通信・５G・アンテナ・IoT 素材・材料・ウェハ加工評価・解析

研究シーズの特徴・独自性

　本研究は次世代半導体デバイス用誘電体基板の比誘電率、誘電正接の低温評価に関する研究です。安価で高性能な誘電体基板はこれからの半導体産業に必要不可欠であり、様々な材料の研究がなされている。特に、量子コンピューター用極低温デバイス作製においては、高価なサファイアに代わる新規材料が望まれている。一方で、極低温における誘電特性の評価は一般的ではなく、高精度マイクロ波評価を極低温で実現する必要がある。本研究では、超伝導薄膜の表面抵抗測定技術と電磁界解析技術を駆使し、様々な材料の極低温誘電特性の評価を実施している。

産学連携の可能性

　本研究室では、超伝導エレクトロニクスと電磁界解析を駆使して次世代に役立つ評価システムを提案・開発しています。本テーマ以外にもテラヘルツ検出器や常温超伝導にも興味があります。どのような研究内容でも積極的に産学連携に取り組みます。低温・超伝導物性、マイクロ波デバイス設計、精密計測が私の強みです。

山形大学
大学院理工学研究科　情報・エレクトロニクス専攻

教授: 齊藤　敦

お問合せ先: 0238-26-3289