東北地域研究シーズデータベース

薄膜トランジスタについての研究

薄膜トランジスタデバイス開発プロセス開発材料開発

ロジックアナログ・センサー・MEMS（磁気、生体、圧力など）素材・材料・ウェハ加工前工程

研究シーズの特徴・独自性

多数の半導体デバイス製造装置をクリーンルーム内に保有し、Ⅳ族系半導体（Si, Ge、SiGe, GeSn）を中心に下記テーマについてデバイス開発を推進しています。

・3次元集積回路・フレキシブルエレクトロニクスに向けた新構造ナノ薄膜トランジスタの開発
・ガラス基板上の低電圧動作ナノ薄膜トランジスタの開発
・強誘電体を利用した新機能ナノ薄膜トランジスタの開発
・トリリオンセンサ社会に向けた半導体センサの開発

産学連携の可能性

多数の半導体デバイス製造装置を五橋キャンパス研究棟クリーンルーム内に保有しています。産学連携可能です。

プラズマCVD装置（2台）、スパッタリング装置（3台）、電子ビーム蒸着装置（1台）、真空蒸着装置（1台）、反応性イオンエッチング装置（1台）、レーザー結晶化装置（1台）、熱処理装置（4台）、マスクアライナー（２台）、スピナー（２台）、オーブン（2台）、ドラフト（１台）、純水製造装置（1式）、化学機械研磨（CMP）装置（1台）、シリンダーキャビネット（1式）、ガス除害システム（1式）、半導体測定装置、CV測定装置、2次元デバイスシミュレータ（シルバコ）

東北学院大学
工学部　電気電子工学科

教授: 原　明人

お問合せ先: akito@mail.tohoku-gakuin.ac.jp