東北地域研究シーズデータベース

テラヘルツ帯新材料・新原理半導体デバイスの創出とそのICT応用

テラヘルツ グラフェン プラズモン トランジスタ レーザー ナノ・ヘテロ構造
光半導体(イメージセンサー、光電変換) ウェハ・物性 通信・5G・アンテナ・IoT 素材・材料・ウェハ加工 設計・開発

研究シーズの特徴・独自性

光波と電波の融合域:テラヘルツ波帯での室温動作が可能な集積型電子デバイスおよび回路システムの創出に関する以下の研究開発を行っています。1. 半導体二次元プラズモン共鳴を利用した集積型テラヘルツ機能デバイス・回路の開発
2. 新原理グラフェン・テラヘルツレーザートランジスタの開発
3. グラフェンプラズモンを利用した室温テラヘルツ増幅・検出素子とそれらのBeyond 5G高速テラヘルツ無線通信応用

産学連携の可能性

これら世界最先端の超ブロードバンドデバイス・回路技術は、次世代 6G, 7G 超高速無線通信や安心・安全のための新たなイメージング・分光計測システムのキーデバイスとして期待されています。

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東北大学
電気通信研究所
教授: 尾辻 泰一