東北大学
未来科学技術共同研究センター
未来科学技術共同研究センター
教授: 須川 成利
高精度デバイスプロセス技術と新規イメージセンサ開発
イメージセンサ
CMOSデバイス
半導体プロセス
計測・評価
製造技術
光半導体（イメージセンサー、光電変換）
アナログ・センサー・MEMS（磁気、生体、圧力など）
製造装置、検査装置
素材・材料・ウェハ加工
前工程
評価・解析
研究シーズの特徴・独自性
クリーンルーム・ユーティリティのレベルから、材料、装置、プロセス、デバイス、回路、実装、信号処理、計測・評価、信頼性に至るまでの研究に総合的に取り組みつつ、それらを基盤として、イメージセンサの極限性能の追及を行っています。今までに、100 万個を超えるトランジスタ性能の高精度高速計測技術（2004 年）、明暗差5 ケタの単露光撮影を可能とした広ダイナミックレンジCMOS イメージセンサ（2008 年）、毎秒1000 万コマの撮影が行える高速CMOS イメージセンサ（2012 年）などの実用化に成功しています。
産学連携の可能性
デバイスメーカの量産ラインと相互乗り入れ可能な清浄度を有する200mmウェーハのシリコンデバイス流動が行えます。また、現有するクリーンルーム施設設備を利用した要素プロセス検討、高度な各種分析評価が行えます。新規イメージセンサの開発に取り組むことができます。
