東北大学
未来科学技術共同研究センター
未来科学技術共同研究センター
教授: 松岡 隆志
システム変革を鑑みた半導体材料から素子応用に関する研究開発
窒化物半導体
窒化ガリウム
有機金属気相成長
太陽電池
半導体レーザ
発光ダイオード
光通信
高耐圧・高出力トランジスタ
高周波トランジスタ
光半導体（イメージセンサー、光電変換）
ウェハ・物性
通信・５G・アンテナ・IoT
素材・材料・ウェハ加工
研究シーズの特徴・独自性
(1)光通信用半導体レーザ：1981年、通信波長1.55μmでの単一縦モードでの室温連続発振。ファイバ当たりの伝送容量を25千倍の10Tb/sに増大。(2)窒化物半導体青色LED：InGaAlN提案（1987年）、発光材料InGaN単結晶薄膜成長（1989年）。本技術は市販の青色LED作製の標準技術。高周波・高出力トランジスタ：逆HEMT作製。車用トランジスタ実現のためGaN基板開発中。
産学連携の可能性
光通信用分布帰還型レーザ作製技術：サブミクロン周期構造作製、レーザの作製プロセス・素子評価・シミュレーション／窒化物半導体関連技術：有機金属気相成長、結晶評価、発光素子‧太陽電池‧電子素子の作製と評価
